电容单位换算

电容单位换算

电容也称为电容。,在倘若电位差下内存的电荷量。,记载为C,生物国际单位是法拉(F)。总而言之,电荷在电场中举动。,当导管暗中在中名辞时,它障碍了电荷的举动,使电荷积聚在电荷中。,电荷累积,内存的电荷量称为电容。。

电容(或少量的)是一种表现形式。电容包罗电荷功率的物理量。在物理成分偏袒,议论了电容。,它是一种静力学电荷内存中名辞。,或许电荷将老是在。,这执意它的标点。,它有普遍的的有意。,它是电子的。、电力如行星或恒星不行短少的电子元件。首要用于电力拒波器。、枪滤波、枪耦合、反响、滤波、使均衡、充放电、储能、恒流及其它周游。

  电容单位换算

在生物国际单位制中,电容的单位是Fala。,缩写词法,表现是F.,经用电容单位有=megameter法。、微法拉、毫微法和皮法(PIFA也称为微法拉),交换相干是:

1法拉=1000=1000000法

1微=1000十亿分之一公尺=1000000皮肤法

电容与电容的大小人和TH的高美质的使担忧。。与此同时电容电容,在举行中,惊人的用品、这两个线路和偏爱的类型方式电容。。比方,更长的播送线。,较长的电缆有电容。。

单位交换规则:单位省略称为欺骗法。,比方

101=10×10 ^ 1=100皮肤法 毫微法;

104=10×10 ^ 4=100000皮肤法 微法拉;

  105=10*10^5=1000000皮法= 1微法拉。

  

  经用电容换算表

  

电容包罗陶瓷电容、Tantalum电容、用电蚀法除去电容

  1、单位:1皮法=1×10的负3次方毫微法=1×10的负6次方微法拉=1×10的负久次方毫法=1×10的负十二次办法拉。

  2、公认为优秀的:由偏爱的的巨大和宽度界限。,有1005(0402)、1608(0603)、2012(0805)、3216(1206)等。

  3、表式办法:103K=10×103皮肤法=10 NA法 104z=10×104皮肤法=100 NA法 0R5=皮肤法

  注意到:用电蚀法除去电容和钽电容器是闪闪发光的的。,洁白表现 极。。电容值的单位通常是:法拉,它也常常被使用。:毫法、微法拉、毫微法、皮法,它们暗达到目标相干如次:

  1法拉=103毫法=106微法拉=109毫微法=1012皮法

中间座位提议

板弹簧有很多厂家。,但不顾哪个厂家工业的打烙印于。,其效能根本完整同样的。,扮演角色和作文根本完整同样的。。使用下面的图片。

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10-23 17:28

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  单片机的晶体振荡器周游采取22PF或30PF,听听有十足食物的提议。,尾随焊周游,一切定期地。,不曾想过为什么。,赚得它,但不赚得。

颁发于 10-23 16:20 12
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晶振周游中为什么用22pf或30pf的电容

简介
输血和输血按次查问搜集严密的的怒族。,到这程度,这些使用查问正规的。、护理成真的办法成真液位检测。。本文描画了24位电容。

颁发于 10-23 11:44 32
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电容数字交换器为诊断体系达到目标电平检测想要方便

如上图所示,方法使用U6做超压备款以支付线?(这是本人工程),压感与柴纳卓越的。
召唤,出口压感大于325VAC关断出口,在300-315Vac…

颁发于 10-23 11:13 11
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请问方法用TL431做本人过压备款以支付线路

发觉MLCC多层陶瓷电容的ESR没有THA。,这么它很小。,少量的为10U。。我们家能说MLCC可以被完整交换吗?。也。

颁发于 10-23 09:46 145
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钽电容器和陶瓷电容

我赚得电源设计。,功率出口和出口霉臭用完滤波妥协方案耦。,方法祈求救助去耦电容?是什么迂回管道电容?我赚得T,它们彼此卓越的。

颁发于 10-23 09:32 13
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请问怎么叫去耦电容和迂回管道电容?

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颁发于 10-23 09:24 15
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向迂回管道电容的深度对话

嗨,我有本人向方法界限寄生电容的成绩。。
在下面的文字中,第十页绍介了它的任务规律。:http://…

颁发于 10-22 16:09 11
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方法界限寄生边缘电容

  1、过分的电容压感抵消起形成功能的人

  采取的过分的电容压感抵消起形成功能的人为四分染色体过分的电容B1~B4连续的并联SEPC斩波周游,如图1所示,…

颁发于 10-22 15:48 22
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基于并联SEPIC斩波周游的过分的电容均压策略

  低内阻、急速的孢间连丝突如其来的强劲气流的优点在孢间连丝电源SU中买到了普遍的的使用。。驱动按次通常基金限度局限原理选择适当的的周游。。以下是对MOSFET的议论。

颁发于 10-22 15:45 40
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电源设计经验之MOS管驱动周游篇

噪声敏感集成周游,为了到达更妥的滤波使发生,总而言之,具有卓越的电容值的几个的电容是选择的。,为了成真更普遍的。

1. 电子滤波周游 VT1 是打拿管, 过滤管的功能, C1 是 VT1 贱的滤波电容, R1 是 VT1 贱的出发抵抗, RL

颁发于 10-22 10:51 24
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电子滤波和电子稳压滤波

电容使均衡柜采取电容电抗使均衡电容,缩减虚功电流,使均衡发电机虚功电流、加重发电机累。

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爱好者专科学校颁发于

10-18 16:08

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绍介了电容使均衡柜的使用保持健康。。推拿电容使均衡有根基的,它指的是稳固在运转达到目标出口。,应注意到详细推拿。

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10-18 16:04

148


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惊人的体系达到目标群众的累类型属于知觉的使担负。,与此同时,Plan计划普遍的使用于电力电子技术。,电网低功率因数。….

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爱好者专科学校颁发于

10-16 16:44

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经用屏蔽的转炉,在初级和次级偏袒查问 衔接本人或两个高气压屏蔽的电容。,通常也很小,就是这么电容终于是做以及如此等等等等?

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10-14 09:40

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迂回管道电容:迂回管道电容,也称作去耦电容,它是一种为稳固想要生产能力的生产能力内存有根基的。,它将就了电容的频率阻抗特点。

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10-13 10:29

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本文档的首要材料详细的绍介的是三星陶瓷电容MLCC技术手册定额详细的资料收费下载。

颁发于 10-11 08:00 73
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孢间连丝把持零虚线,它代表直接衔接到灯(电容)的前线。。前线有很高的潜力。,万一在就是这么工夫线上有本人低可能语气的,漂亮的的。

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10-09 10:13

706


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电容的大小人是内存电能的大小人。,电容对交流枪的障碍称为电容电抗。,它与交流枪的频率和电容使担忧。

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10-09 10:10

682


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少量工业举行与观点讨论,当孢间连丝电源达到目标电容损坏时。,格外地用电蚀法除去电容屋顶下落。,用电蚀法除去质资源过剩,电源供给者淮。

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10-08 07:36

545


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数字周游霉臭不变可信赖。,权利霉臭是彻底的。,精力补充者霉臭即时。,也执意说,过滤妥协方案耦霉臭更妥。。是什么过滤?

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10-07 19:03

272


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电容是电磁学相容的设计达到目标要紧件。,它也我们家经用的过滤元件。!但在我的锻炼历程中,我发觉,电容的使用失去嗅迹罚款。

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沈丹颁发于

10-07 11:46

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契合GB、IEC规范,内政独自地电容装备有备款以支付有根基的。;当线路或电容非凡的时,备款以支付有根基的将同时使用。

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沈丹颁发于

10-07 11:44

314


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调和分量拒波器背部地电容连续电抗器的结合,最小的阻抗以调和分量的按次方式。,吸取少量的调和分量电流。,电容的美质。

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沈丹颁发于

10-07 11:43

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电容的效能执意复杂地举行流通信息。,周游达到目标电容首要具有这些效能。:滤波、去耦、迂回管道及如此等等效能。

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沈丹颁发于

10-07 11:41

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电容是电子CI中不行短少的储能元件,它屏蔽的了恒流。、衔接信息、预先阻止低频特点。

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沈丹颁发于

10-07 11:38

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剖析与服务业:基金用户,电磁学炉已调到多个服务业机关。。反省发觉,板弹簧上的最好地装配是ReMo。,可见屯积。

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10-02 08:15

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全波交换波形,可以看出,出口压感的排除与电容充电工夫使担忧。,当枪频率增添时,输了。

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沈丹颁发于

09-29 09:13

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用约10pF的电容滤除高频排解。,UF用于滤除低频纹波排解。,它依然是不变的。

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沈丹颁发于

09-29 09:06

488


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眼前用于充电器和小电源。,Y型电容的拆毁对安全性和本钱具有要紧意义。。只因,移除Y电容也将。

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09-29 08:15

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率先,疏忽小少量的闭塞电容Cb。,NP的下可以意见是C1和C2暗达到目标衔接点。。万一C1、C2的少量的根本完整同样的。

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09-29 07:50

811


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多感觉器官高精度数字测温体系 LTC2983,杂多的高烧感觉器官可以举行以洋地黄治疗测和出口。 (采取) ….

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09-28 19:21

312


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迈克是个扩音器。,传出宣布的美质与迈克的美质亲密中间座位。。普通小麦和耳机具有迟钝的的宣布美质。、异型与使变形,它也倾向于买到电力。

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沈丹颁发于

09-28 11:19

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电容话筒有两个狭板。,到达一种涂有电介体膜(首要是全氟乙撑丙烯)。,另本人杆是衔接的。

颁发于 09-28 11:12 141
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电容式扩音器是电容的使不同。,将语音枪交换成电枪是最盛行的类型。,普通记载器是用扩音器修建的。

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沈丹颁发于

09-28 11:04

401


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Miller效应是MOS驱动程序臭名远扬的。,他是MOS管Miller电容通向的碾磨工效应。,在MOS管启齿历程中,GS惊人的公司。

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09-28 08:02

679


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微少有机师赚得这件事。,适宜群众的机师和海内行业最难管的的事实,他们正处理这类产生的成绩。

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09-27 09:23

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四分之一:辐射点座位,有几种复杂的办法。,不明确的完整精确。,可以会诊,出口线套圈支撑电磁学相容的。

音频接纳缩小周游:电介体话筒BM、使担负抵抗R1和耦合电容C1等。,它的效能是捡起宣布并将其交换成电枪。

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电子管理颁发于

09-25 15:13

464


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本文首要论述了电容的最根本效能。,详细遵照小编一齐变得流行。。

下面提到的,当压感成为峰值时,电流将是平等地电流的两倍。,这么用电蚀法除去电容的电流使不同绝对较大。,现世的纹波功率。

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沈丹颁发于

09-20 10:05

429


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财务总管VS的选择:首要是压感财务总管和最大速度的两个限度局限原理。。压感财务总管UZ=出口压感U2;最大反向电流大于或值得的。

颁发于 09-20 08:58 185
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缩小压感财务总管损坏的风险,CBB在周游设计达到目标电容值就十足了。,用完一段工夫(比方1年),少量的衰落。

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沈丹颁发于

09-20 08:51

393


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阻容电容规律: 受到音量和本钱等原理的限度局限。,为了将交流电源交换成下陷处恒流,可变因素环骑

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沈丹颁发于

09-20 08:40

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电容泄压电源是一种非屏蔽的电源。,在使用中应特别注意到屏蔽的。,预先阻止电击。

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沈丹颁发于

09-19 15:07

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功率,无效功率P=0,也执意说,一起活动体的无效功率为零。,它失去嗅迹本人耗费生产能力的元素。,它是生产能力内存元件。,其储能少量的为虚功功率表。

半个月后,把大包存入仓库栈。,完全同样的商品涨价了15%~20%。。这相当不适当的。,但这无论如何比阳澄湖少。

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芯世相颁发于

09-13 15:25

1547


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在选择一起活动体时,应特别注意到它们的Q值。,这么Q值是多少?Q是什么意思?,为什么要紧?

卓越的高烧下浪涌压感卓越的。,85岁 高烧小于或小于,归类压感VC 值得的额外压感VR,浪涌压感V

颁发于 09-12 08:52 314
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片式电容,也称作贴片电容。,经用的有:片岩的多层陶瓷电容、高频圆筒电容、片岩的电容、成片流动用电蚀法除去

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09-11 09:16

545


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片式电容是电容原料。。刻电容是全名。:多层(积层,叠层陶瓷电容,也称为片式电容。,片容。本文。

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爱好者专科学校颁发于

09-10 18:15

1263


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L、C元素称为萧条元素。,一起活动体达到目标电流。、电容两端压感,它们都相当多的电萧条。,不克不及霍然找头。充电。

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张飞举行电子颁发于

09-10 15:23

635


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因可信赖性,电容一起活动和3D打手势难以进入汽车。不外,微刻(微刻)这次。

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罗欣颁发于

09-10 10:56

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当你翻开接受者、磁带磁带录音机或电视播放者,你可以指出很多集中的电子元件。。到达,总共至多的霉臭算在内。

颁发于 09-10 08:00 173
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电导,测验搜索规范15K-30m,经用的EN55022是150 K。。电导源是方法方式的?

颁发于 09-09 10:00 452
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每个集成刻的Vcc和GND暗中跨接本人0.01~μF的陶瓷电容。万一不许可的事空白,每4~10个。

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电扇方法颁发于

09-09 08:46

788


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集成周游是一种技术。,周游中查问的晶体管、二极管、抵抗、电容和一起活动体和装电线联结。

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09-05 10:26

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XC6216设置采取CMOS学术语创造。,28伏压感财务总管正压感财务总管刻。同类型产生XC6202部。

电视材料率先绍介了电子技术的标点和表现。,其次,绍介了用电蚀法除去电容的测办法。,够用,对用电蚀法除去电容的正负断定举行了书房。

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爱好者专科学校颁发于

09-04 17:08

1217


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TMUX6104是一款近世补足的金属氧化半导管(CMOS)仿照多倍的器.TMUX6104想要4:1单端孢间连丝效能,而且使用重复供给(±5V至±18V)和单电源(10V至36V)供电时均能定期地运转。与此同时,该有根基的由对称的电源(如V)包括。 DD = 12V,V SS = 12V)和左右对称的的电源(如V) DD = 12V, V SS = 5V)电源也能以誓言约束健全的的机能。全数字出口。当稳固在无效电源压感搜索内运转时,这些跑道入口以誓言约束了TTL与CMOS暗达到目标逻辑相容的性。。 TMUX6104具有非凡的低的导通和关断走电流和超低电平。,到这程度,该有根基的可用于高精度测使用时机。,低功耗是本人秘诀成绩。。当孢间连丝成为断开座位时,该有根基的还可以经过阻断S来想要健全的的屏蔽的生产能力。。电源电流低至17 A。,该有根基的可用于携带式使用。,论效力,高比功率与稳健的查问。 特点 低电导电容:5pF 低出口走漏:1pA 低电荷充注: 轨对轨运转 宽压感搜索:±5V至±18V(重复供给)或10V至36V(单电源) 低导通抵抗:125Ω 交换工夫:88ns 孢间连丝推拿后的一号断电。 EN引脚和V DD 衔接(集成下拉抵抗) 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流。

颁发于 09-03 15:32 18
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TMUX136是一种高机能的6GHz。 2及格2:1孢间连丝,它支撑差分和单端枪。。该有根基的具有V型对比地。 CC 搜索,支撑断电备款以支付效能,当V CC 当销断开时,逼迫我占有 O引脚进入TMUX136的高阻抗测定的偏爱的,以支撑CONT,容许它们直接衔接到下陷处感历程的流通时间I O(GPIO)是衔接的。。 TMUX136是小型10引脚UQFN封装。,重大仅为x2mm。 ,非凡的廉正PCB的高级快车地域。。 特点 V CC 搜索到 高机能孢间连丝特点:< ul> 带宽(-3dB):6.1GHz R ON (类型值):Ω C ON (类型值): 电流耗费:30 A(类型值) 特别特点: I < sub> OFF 预先阻止走电毛病的备款以支付 相容的把持出口(SEL), EN ) 静电的放电(ESD)机能: 5kV人体放电起形成功能的人(A114B),二类) 1kV索价有根基的起形成功能的人 C101) 体积小10针UQFN封装(x2mm),使成缺口为mm。 < small>占有向下猛击均为其各自占有者的财富。。 限度局限原理 仿照孢间连丝/多倍的器与如此等等产生的对比地   Configuration Number of Channels (#) Power Supply Type Vss (闽) (V) V…

颁发于 09-03 14:34 60
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MUX508和MUX509(MUX50x)是近世补足的金属氧化半导管(CMOS)仿照多倍的器(mux).MUX508想要8:1单端及格,和MUX509想要4:1差分及格或双及格4:1单端及格。 MUX508和MUX509在重复供给(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能定期地运转。这两个有根基的是对称的的电源(如V)。 DD = 12V,V SS = 12V)和左右对称的的电源(如V) DD = 12V,V SS = 5V)以誓言约束了良好的电源供给。。占有些人数字出口都是相容的的晶体管。 – 晶体管逻辑周游(TTL)的跑道入口。当稳固在无效电源压感搜索内运转时,就是这么跑道入口以誓言约束了TTL和CMOS逻辑周游的相容的性。。 MUX508和MUX509这两款多倍的器的导通和关断泄走电流都非凡的低,到这程度,高出口阻抗源枪可以用MIM举行切换。。该有根基的的电源电流低至45 A。,到这程度,一致的携带式VTT放电。。 特点 低电导电容 MUX508:9.4pF MUX509: 低出口走电流:10Pa 低电荷充注: 轨对轨运转 宽电源压感搜索:±5V至±18V或10V至36V 低导通抵抗:125Ω 交换工夫:92ns 孢间连丝推拿后的一号断电。 EN引脚和V DD 贯 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 卫生发生。

颁发于 09-03 14:32 0
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MUX508和MUX509(MUX50x)是近世补足的金属氧化半导管(CMOS)仿照多倍的器(mux).MUX508想要8:1单端及格,和MUX509想要4:1差分及格或双及格4:1单端及格。 MUX508和MUX509在重复供给(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能定期地运转。这两个有根基的是对称的的电源(如V)。 DD = 12V,V SS = 12V)和左右对称的的电源(如V) DD = 12V,V SS = 5V)以誓言约束了良好的电源供给。。占有些人数字出口都是相容的的晶体管。 – 晶体管逻辑周游(TTL)的跑道入口。当稳固在无效电源压感搜索内运转时,就是这么跑道入口以誓言约束了TTL和CMOS逻辑周游的相容的性。。 MUX508和MUX509这两款多倍的器的导通和关断泄走电流都非凡的低,到这程度,高出口阻抗源枪可以用MIM举行切换。。该有根基的的电源电流低至45 A。,到这程度,一致的携带式VTT放电。。 特点 低电导电容 MUX508:9.4pF MUX509: 低出口走电流:10Pa 低电荷充注: 轨对轨运转 宽电源压感搜索:±5V至±18V或10V至36V 低导通抵抗:125Ω 交换工夫:92ns 孢间连丝推拿后的一号断电。 EN引脚和V DD 贯 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 卫生发生。

颁发于 09-03 14:28 0
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MUX36S16和MUX36D08(MUX36xxx)是近世补足的金属氧化半导管(CMOS)仿照多倍的器(mux).MUX36S16想要16:1单端及格,和MUX36D08想要8:1差分及格或双及格8:1单端及格.MUX36S16和MUX36D08在由重复供给(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能定期地运转。对称的电源有根基的(如V) DD = 12V,V SS = 12V)和左右对称的的电源(如V) DD = 12V, V SS = 5V)以誓言约束了良好的电源供给。。占有些人数字出口都是相容的的晶体管。 – 晶体管逻辑周游(TTL)的跑道入口。当稳固在无效电源压感搜索内运转时,该跑道入口可以誓言约束TTL和CMOS逻辑周游的相容的性。 MUX36S16和MUX36D08的走电流在成为和断开时较低。,容许这么的多倍的器交换高出口阻抗播送的枪。。电源电流低至45 A。,支撑它在携带式使用达到目标使用。 特点 低电导电容 MUX36S16:13.5pF MUX36D08: 低泄走电流:1pA的 低电荷充注: 轨对轨运转 宽电源压感搜索:±5V至±18V或10V至36V 低导通抵抗:125Ω 交换工夫:85ns 孢间连丝推拿后的一号断电。 EN引脚和V DD 贯 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:4…

颁发于 09-03 11:27 30
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MUX506和MUX507(MUX50x)是近世补足的金属氧化半导管(CMOS)仿照多倍的器(MUX).MUX506想要16:1单端及格,和MUX507想要8:1差分及格或双及格8:1单端及格.MUX506和MUX507在由重复供给(±5V至±18V)或单电源(10V至36V)供电时均能定期地运转。对称的电源有根基的(如V) DD = 12V,V SS = 12V)和左右对称的的电源(如V) DD = 12V, V SS = 5V)以誓言约束了良好的电源供给。。占有些人数字出口都是相容的的晶体管。 – 晶体管逻辑周游(TTL)的跑道入口。当稳固在无效电源压感搜索内运转时,该跑道入口可以誓言约束TTL和CMOS逻辑周游的相容的性。 MUX507和MUX507的走电流在开启和停业时较低。,容许这么的多倍的器交换高出口阻抗播送的枪。。电源电流低至45 A。,它被使用于功率敏感的使用。。 特点 低电导电容 MUX506:13.5pF MUX507: 低出口走漏:1pA的 低电荷充注: 轨对轨运转 宽电源压感搜索:±5V至±18V或10V至36V 低导通抵抗:125Ω 交换工夫:97ns 孢间连丝推拿后的一号断电。 EN引脚和V DD 贯 逻辑电平:2V至V DD 低电源电流:45μA 静电的放电备款以支付HBM:20…

颁发于 09-03 11:24 33
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